| 제목 | 등록특허 [등록특허] Pt 촉매층을 이용한 GaN 나노와이어의 성장방법 |
|---|---|
| 출원번호 | 제 10-1273702 호 |
| 출원인 | 이철로, 라용호, 송기영 |
| 출원일 | 2011. 3. 3. |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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