| Title | Demonstration of n-GaN:Si NWs having ultrahigh density and aspect ratio via a 3-step growth method using MOCVD |
|---|---|
| Publication year | 2016 |
| Author | Dae-Young Um, Arjun Mandal, Da-Som Lee, Ji-Hyeon Park and Cheul-Ro Lee |
| Journal | CrystEngComm (IF: 3.545) |
| JCR factor | 24 % |
| Vol | Vol.18, pp.480-487 |
| DOI | https://doi.org/10.1039/c5ce01832c |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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