| Title | Two step growth of high quality long n-GaN:Si nanowires using µ-GaN seed on Si(111) by metalorgonic chemical vapor deposition |
|---|---|
| Publication year | 2013 |
| Author | Min-Hee Kim ,Ji-Hyeon Park, Hee-il Yoo, Suthan Kissinger, Jin Soo Kim, Byung June Baek, Cheul-Ro Lee |
| Journal | Thin Solid Films (IF: 2.183) |
| JCR factor | 49.35 % |
| Vol | Vol.548, pp.58-63 |
| DOI | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.08.105 |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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