| Title | Influence of dot-in-a-well structure and GaAs insertion layer on InP based InAs QD |
|---|---|
| Publication year | 2013 |
| Author | Byonggu Jo, Cheul-ro Lee, Jin Soo Kim, Haeng Keun Ahn, Jang Hee Choi, Won Seok Han, Jung Ho Song, Dae Kon Oh, Sam-Kyu Noh, Jae-Young Leem |
| Journal | Journal of the Korean Physical Society (IF: 0.649) |
| JCR factor | 79.09 % |
| Vol | Vol.62, pp.1274-1279 |
| DOI | https://doi.org/10.3938/jkps.62.1274 |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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