| Title | Manipulation on the optical properties of InGaN/GaN light emitting diodes by adopting InN layer |
|---|---|
| Publication year | 2013 |
| Author | Manipulation on the optical properties of InGaN/GaN light emitting diodes by adopting InN layer |
| Journal | Journal of Crystal Growth (IF: 1.797) |
| JCR factor | 49.70 % |
| Vol | Vol.730, pp.109-113 |
| DOI | https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.08.049 |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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