| Title | Radial growth behavior and characteristics of m-plane In0.16Ga0.84N/GaN MQW nanowires by MOCVD |
|---|---|
| Publication year | 2013 |
| Author | Yong-Ho Ra, Ji-Hyeon Park, R. Navamathavan and Cheul-Ro Lee |
| Journal | CrystEngComm (IF: 3.545) |
| JCR factor | 18.75 % |
| Vol | Vol.15, pp.1874-1881 |
| DOI | https://doi.org/10.1039/c2ce26842f |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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