| Title | Growth characteristics of uniaxial InGaN/GaN MQW/n-GaN nanowires on Si(111) by using MOCVD |
|---|---|
| Publication year | 2012 |
| Author | Yong-Ho Ra, R. Navamathavan and Cheul-Ro Lee |
| Journal | CrystEngComm (IF: 3.545) |
| JCR factor | 18.75 % |
| Vol | Vol.14, pp.8208-8214 |
| DOI | https://doi.org/10.1039/c2ce26281a |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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