| Title | Growth behavior of GaN epilayers on Si(111) grown by GaN nanowires assisted epitaxial lateral overgrowth |
|---|---|
| Publication year | 2012 |
| Author | Bo-Ra Yeom, R.Navamathavan, Ji-Hyeon Park, Yong-Ho Ra and Cheul-Ro Lee |
| Journal | CrystEngComm (IF: 3.545) |
| JCR factor | 18.75 % |
| Vol | Vol.14, pp.5558-5563 |
| DOI | https://doi.org/10.1039/c2ce25142f |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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