| Title | N-type doping of GaN/Si(111) using Al₀.₂Ga₀.₈N/AlN composite buffer layer and Al₀.₂Ga₀.₈N/GaN superlattice |
|---|---|
| Publication year | 2006 |
| Author | Dong-Wook Kim and Cheul-Ro Lee |
| Journal | Journal of Crystal Growth (IF: 1.797) |
| JCR factor | 57.69 % |
| Vol | Vol.286, pp.235-239 |
| DOI | https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.10.104 |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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