| Title | Study on the effects of H+ and He+ implantation in semi-insulating GaAs by using Raman Spectroscopy |
|---|---|
| Publication year | 2007 |
| Author | K.Santhakumar, J.S.Kim, C.R.Lee, R.Kesavamorthy, K.G.M.naiv, P.Jayavel, Y. Hayakawa and J. Soga |
| Journal | Journal of the Korean Physical Society (IF: 0.649) |
| JCR factor | 92.94 % |
| Vol | Vol.51, pp.576-580 |
| DOI |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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