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Total 205 | Page 8

Publication 목록
No	Title	Publication Year
30	Characteristics of back-illuminated visible-blind UV photodetector base on AlxGa1-xN p-i-n	2005
29	Growth of crack-free GaN/Si heteroepitaxy using a patterned Si substrate method	2005
28	Characteristics of back-illumination UV photodetector fabricated with AlGaN heterostructures	2005
27	High brightness InGaN/GaN blue light emitting diode realized by a 6 x 2” MOCVD system	2005
26	Optical characteristics of self-assembled InAs quantum dots with InGaAs grown by MBE	2004
25	Correlation between PL and Hall mobility in GaN/sapphire grown by metalorganic chemical vapor deposi…	2004
24	Fabrication of metal-semiconductor-metal (MSM) UV photodetectors with Al₀.₁₆Ga₀.₈₄N/GaN heterostruct…	2004
23	Fabrication and Characteristics of Blue LED on GaN/Si (111) Epitaxy Grown with AlGaN/GaN Superlattic…	2004
22	Doping characteristics of Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N epilayers with various Mg incorporations	2003
21	The influence of AlxGa1-xN intermediate buffer layer on the characteristics of GaN/Si(111) epitaxy	2003
20	Influence of GaAs/InAs quasi-monolayer on the structural and optical properties of InAs/GaAs quantum…	2003
19	High quality GaN/Si(111) epitaxy grown with various Al₀.₃Ga₀.₇N/GaN superlattice as intermediate lay…	2003
18	Characteristics of UV-photodetector fabricated by Al₀.₃Ga₀.₇N/GaN heterostructure	2003
17	Influence of SiN buffer layer in GaN epilayers	2003
16	Strain relaxation on InGaN epitaxial films grown coherently on GaN	2003
15	Numerical analysis for the growth of GaN layer in MOCVD reactor	2003
14	Growth and characterization of In₀.₂₈Ga₀.₇₂N/GaN multiple-quantum well on Si (111)	2003
13	N-type doping behavior of Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N:Si with various Si incorporations	2002
12	The Role of AlN Buffer Layer in AlxGa1-xN/GaN Heterostructures having High x from 0.35 to 0.5 Grown …	2002
11	Characteristics of GaN/Si(111) epitaxy Grown using Al₀.₁Ga₀.₉N/AlN Composite Nucleation Layers havin…	2002
10	The Effects of Thermal Convection of NH₃ During Growth of GaN Epitaxial Layers by Horizontal MOCVD R…	2002
9	Electrical and growth characteristics of Au/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N:Si structures grown with various Si incorp…	2002
8	Semi-Continuous Production of Tantalum Powder by Electronically Mediated Reaction (EMR)	2002
7	The Influences of AlxGa1-xN Layer on the Characteristics of UV LED Structures	2001
6	The effect of p-GaN:Mg layers on the turn-on voltage of p-n junction LED	2001

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