| Title | Characteristics of GaN/Si(111) epitaxy Grown using Al₀.₁Ga₀.₉N/AlN Composite Nucleation Layers having Different Thicknesses of AlN |
|---|---|
| Publication year | 2002 |
| Author | C. R. Lee, S. H. Jang, S. J. Lee, I. S. Seo, Haeng-Keun Ahn, Oh-Yeon Lee and Jae-Young Leem |
| Journal | Journal of Crystal Growth (IF: 1.797) |
| JCR factor | 57.69 % |
| Vol | Vol.241, pp.289-296 |
| DOI | https://doi.org/10.1016/S0022-0248(02)01308-8 |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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