| Title | The influence of AlxGa1-xN intermediate buffer layer on the characteristics of GaN/Si(111) epitaxy |
|---|---|
| Publication year | 2003 |
| Author | Cheul-Ro Lee, Seong-Hwan Jang, Seong-Suk Lee and Oh-Yeon Lee |
| Journal | Journal of Crystal Growth (IF: 1.797) |
| JCR factor | 57.69 % |
| Vol | Vol.255, pp.220-226 |
| DOI | https://doi.org/10.1016/S0022-0248(03)01251-X |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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