| Title | High brightness InGaN/GaN blue light emitting diode realized by a 6 x 2” MOCVD system |
|---|---|
| Publication year | 2005 |
| Author | Jin-Woo JU, Cheul-Ro Lee, Jong-Hyeob BAEK, Young-Hee LEE and In-Hwan Lee |
| Journal | Japanese Journal of Applied Physics (IF: 1.480) |
| JCR factor | 78.75 % |
| Vol | Vol.44, pp.2506-2508 |
| DOI | https://doi.org/10.1143/JJAP.44.2506 |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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