| Title | Growth of crack-free GaN/Si heteroepitaxy using a patterned Si substrate method |
|---|---|
| Publication year | 2005 |
| Author | Kyong-Jun Kim, Yoon-Bong Hahn and Cheul-Ro LEE |
| Journal | Journal of the Korean Physical Society (IF: 0.649) |
| JCR factor | 92.94 % |
| Vol | Vol.46, pp.901-905 |
| DOI |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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