| Title | Characterization of GaN/Si(111) heteroepitaxy with variation of thickness grown by using AlGaN superlattice intermediate layer |
|---|---|
| Publication year | 2005 |
| Author | Hyung-Suk Han, Dong-wook Kim, In-Hwan Lee, Chul-Soo Sone and Cheul-Ro Lee |
| Journal | Journal of the Korean Physical Society (IF: 0.649) |
| JCR factor | 92.94 % |
| Vol | Vol.47, pp.ss504-ss507 |
| DOI |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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