| Title | The annealing effects of Mg doped GaN epilayers capped with SiO₂ layers |
|---|---|
| Publication year | 2000 |
| Author | C. R. Lee, J. Y. Leem and Byung-Guk Ahn |
| Journal | Journal of Crystal Growth (IF: 1.797) |
| JCR factor | 57.69 % |
| Vol | Vol.216, pp.62-68 |
| DOI | https://doi.org/10.1016/S0022-0248(00)00376-6 |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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