| Title | Effects of laterally overgrown n-GaN thickness on defect and deep level concentrations |
|---|---|
| Publication year | 2008 |
| Author | A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, E. B. Yakimov, P. S. Vergeles, S. J. Pearton, Cheul Ro Lee and In-Hwan Lee |
| Journal | Journal of Vacuum Science & Technology B (IF: 1.416) |
| JCR factor | 73.68 % |
| Vol | Vol.26, pp.990-994 |
| DOI | https://doi.org/10.1116/1.2919148 |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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