| Title | Donor nonuniformity in undoped and Si doped n-GaN prepared by epitaxial lateral overgrowth |
|---|---|
| Publication year | 2008 |
| Author | C-R. Lee, I-H. Lee, E.B.Yakimov, P.S.Vergeles, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov |
| Journal | Applied Physics Letters (IF: 3.791) |
| JCR factor | 23.39 % |
| Vol | Vol.92, pp.042118(1-3) |
| DOI | https://doi.org/10.1063/1.2840190 |
Semiconductor Materials & Process Laboratory
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